文档下载
网盘链接： https://pan.baidu.com/s/1jSeQFbHMS2KIrVyBtdwUCQ
提取码： jb9z
部分内容展示
VDMOS是如今最常用的功率MOS的基本结构，本文主要对高压功率VDMOS器件单粒子辐射效应及损伤机理进行研究，首先阐述了
论文研究背景、目的意义、主要内容等，其次，简要介绍了高压功率VDMOS的基本结构、原理电参数特性，对单粒子辐射效应的概念、原理和国内外研究进行综述，再次，然后详细分析了VDMOS的单粒子辐射效应，包括SEB效应、SEGR效应等，分别分析了产生辐射效应的机理，以及对器件性能的影响，并提出相对应的抗辐射加固措施。由于单粒子效应对VDMOS影响严重，重点分析了与之相关的因素，通过仿真分析了N沟VDMOS的N+源区掺杂浓度、P-body体区的结深和载流子寿命与SEB性能的关系，并对比了具有同等耐压的VDMOS和VDMOS的基本电参数特性及SEB性能。最后为了改善VDMOS的抗辐射性能，概述了业界常用的VDMOS器件加固措施。本文研究旨在为之后设计抗辐射VDMOS产品提供了理论基础，相信随着我国对抗辐射VDMOS的不断研究与投入，将在不久的将来实现兼具较优电性能和可靠性的抗辐射VDMOS产品量产。
关键词：高压功率VDMOS器件；单粒子辐射；损伤机理；加固
综上所述，本文主要详细介绍了高压功率VDMOS器件的辐射效应，包括总剂量效应、单粒子烧毁（SEB）效应、单粒子栅穿（SEGR）效应以及槽型结构特有的单粒子微剂量效应，分别分析了这几种效应对器件性能的影响或造成器件失效的机理，并提出相对应的抗辐射加固措施，其次重点分析了影响单粒子效应的相关因素，论文从关键的工艺步骤改进和不同的器件结构分析对高压功率VDMOS的抗辐射加固，VDMOS的栅介质工艺控制及后续工艺的高温过程对器件的SEGR效应和总剂量效应有较大影响，优化P-body体区和N+源区的掺杂和推结工艺控制可以改善器件的抗SEB性能，然后通过仿真分析了增加缓冲层结构、增加深P+扩散工艺、屏蔽栅结构对VDMOS的SEB性能和基本电参数性能的影响，从仿真结果来看，这几种加固结构相比于普通的VDMOS来说均能改善器件的抗辐射性能，且槽形接触加固对器件的抗SEB能力提升最明显。
添加微信，提供课题关键词，帮你找