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一、选题背景与意义（300字左右）
自从上世纪 70 年代研发出第一个 VDMOS 起，VDMOS 就以输入阻抗高、功率增益大、开关速度快、开关损耗小、驱动功率低、耐高压、大电流容量以及良好的热稳定性等的优势，在电子领域占据了越来越重要的地位，逐渐成为最实用、最普遍的功率电子器件之一。宇航用VDMOS相较于普通的VDMOS器件，其工作环境更加恶劣，受高能粒子和宇宙射线等影响极易发生辐射效应，导致器件性能退化甚至失效，严重威胁航天器的工作安全。尽管随着技术的日渐成熟，航天器的故障率在大幅降低，空间辐射仍然是卫星在轨故障的主要原因之一。并且随着航天技术的日益发展，各种新材料、新结构和新技术应用于微电子器件。这些新材料和新器件对空间辐射更加敏感，使空间辐射诱发故障的可能性增加，空间辐射环境对航天器的寿命和可靠性带来了更加严峻的威胁；更多范文 由此可见，在航天器设计过程中需要选择在空间辐射效应中有最大失效容限的电子器件。高可靠性、长寿命、抗辐照的的宇航级抗辐射电离半导体器件是宇航系统稳定运行的前提条件，是更好的发展航天工程化的基础，其技术和水平是制约我国航天技术发展的重要因素。目前我国宇航用抗辐照VDMOS主要靠进口，并且价格昂贵。抗辐射VDMOS的研究能够有效打破技术垄断，推进我国国防事业和经济建设的发展。